热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质引起的。（两个字）答案: 分凝（选学章节）第4章扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。第四章测试

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热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字） 答案: 分凝（选学章节）第4章 扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。 第四章 测试